AS178-73是一种低噪声、高线性度的射频(RF)晶体管,广泛用于无线通信系统中的低噪声放大器(LNA)设计。该器件基于先进的GaAs增强型pHEMT工艺制造,提供了出色的低噪声性能和高增益,非常适合工作在700MHz到3GHz频段的应用。AS178-73采用SOT-343封装,具有小尺寸和轻量化的特点,适用于便携式设备和高密度电路设计。
类型:GaAs pHEMT射频晶体管
工作频率:700 MHz - 3 GHz
噪声系数:0.55 dB(典型值)
增益:18 dB(典型值)
输出IP3:32 dBm
电源电压:3.3 V至5 V
静态电流:50 mA(典型值)
封装类型:SOT-343
AS178-73晶体管具有极低的噪声系数,确保在低噪声放大器应用中提供优异的信号接收质量。该器件的高增益和优良的线性度,使其在多频段和多标准无线通信系统中具有广泛的应用。其GaAs pHEMT工艺提供了良好的温度稳定性和可靠性,确保在各种工作条件下都能维持稳定性能。此外,AS178-73的SOT-343封装形式,使其易于集成到紧凑型PCB设计中,并支持表面贴装工艺,提高了生产效率。
该晶体管还具有优异的输入和输出阻抗匹配特性,减少了外部匹配网络的复杂性,降低了设计难度和成本。同时,其宽工作电压范围(3.3V至5V)提供了更高的设计灵活性,适用于多种电源管理方案。
AS178-73主要用于无线基础设施、蜂窝通信、Wi-Fi和WiMAX系统的低噪声放大器设计。它也适用于测试设备、广播接收器和其它需要高灵敏度射频前端的应用场景。由于其卓越的噪声性能和高频特性,该器件在5G通信前端模块中也有广泛应用。
ATF-54143, BGA2807, MGA-63163