型号：2SK979
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：S-Mini
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.2A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ（典型值，VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF（典型值，VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：160pF（典型值，VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值，VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（典型值，VDS=15V）
　　功耗（Ptot）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C

2SK979具备多项优异的电气与结构特性，使其在高频和高效率应用场景中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为35mΩ，在VGS=10V的工作条件下可显著降低导通损耗，提高整体能效，特别适用于大电流、低电压的DC-DC转换器设计。其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg=12nC）和输出电容（Coss=160pF），这使得在高频开关操作中能够有效减少开关损耗，提升转换效率，并支持更高的开关频率运行，满足现代电源系统对小型化和高效化的需求。
　　此外，2SK979采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，增强了电流驱动能力，同时改善了热传导性能。其S-Mini封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，还通过缩短内部引线长度降低了寄生电感，有助于抑制高频噪声和振铃现象，提升系统的电磁兼容性（EMC）。该封装还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现有效的热量散发，保障器件长期稳定运行。
　　该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了在低电压控制信号下也能可靠开启，适用于由逻辑IC或PWM控制器直接驱动的应用场景。同时，其最大漏源电压为30V，适用于12V或24V系统中的低压功率转换，如同步整流、负载开关和电机驱动等。器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗浪涌电流能力，增强了在瞬态工况下的可靠性。总体而言，2SK979凭借其低RDS(on)、低电容、高开关速度和紧凑封装，成为高频、高效率电源设计中的理想选择。

2SK979主要应用于需要高频开关和高效率转换的电子系统中。其典型应用场景包括便携式通信设备中的射频功率放大器，用于信号调制与发射；在无线网络设备（如Wi-Fi路由器、无线接入点）中作为功率开关元件，提升信号处理效率。此外，它广泛用于DC-DC降压转换器（Buck Converter）中，尤其是在同步整流拓扑中作为低边开关，利用其低导通电阻和快速响应特性来提高转换效率，减少能量损耗。
　　在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等移动设备中，2SK979可用于电源管理系统中的电压调节模块（VRM），为CPU、GPU和其他核心组件提供稳定的供电。由于其小型化封装和高效能特性，非常适合空间受限但对功耗敏感的应用环境。同时，该器件也适用于电池供电系统中的充放电控制电路，例如在锂电池保护板或电源切换电路中作为开关元件使用，实现低功耗待机与快速响应启动。
　　工业控制领域中，2SK979可用于小型电机驱动、LED驱动电源以及传感器供电模块，其高可靠性与宽温度工作范围（-55°C ~ +150°C）使其能在恶劣环境下稳定运行。此外，在消费类电子产品如数码相机、便携式音频设备中，该MOSFET常用于负载开关或电源路径管理，以延长电池续航时间。总之，2SK979凭借其高频性能和紧凑设计，已成为现代电子系统中不可或缺的关键功率器件之一。

2SK1762,2SK2389,2SK3058