CU306C 时间：2025/7/28 13:34:22 阅读：5

CU306C 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能、高集成度的功率MOSFET驱动芯片，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种需要高效驱动功率MOSFET的场合。该芯片具有高驱动能力和良好的抗干扰能力，适用于中高功率系统的设计。

参数

工作电压：10V ~ 20V
　　输出电流：最大2A（峰值）
　　输入信号兼容性：TTL/CMOS电平
　　传播延迟：约100ns（典型值）
　　上升/下降时间：约20ns（典型值，负载为1nF）
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　封装类型：DIP-8、SO-8

特性

CU306C具有高效的MOSFET驱动能力，能够快速切换功率器件，降低开关损耗。
　　内置的高边和低边驱动电路使其适用于半桥和全桥拓扑结构。
　　其具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，防止MOSFET误动作。
　　芯片内部集成了死区时间控制逻辑，有效防止上下桥臂直通，提高系统稳定性与安全性。
　　此外，CU306C采用高压工艺制造，具有较强的抗噪声干扰能力，可在恶劣的工业环境中稳定运行。
　　该芯片还支持宽范围的电源电压输入，适应多种供电条件，提高了设计的灵活性。