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500R15N332JV4T 发布时间 时间:2025/7/12 7:58:58 查看 阅读:13

500R15N332JV4T 是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 TO-247,能够承受较高的电流和电压,适合于需要高效能和可靠性的工业应用。

参数

型号:500R15N332JV4T
  类型:N沟道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):1500V
  RDS(on)(导通电阻):0.33Ω
  ID(连续漏极电流):16A
  封装:TO-247
  功耗:500W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

500R15N332JV4T 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力,支持高达1500V的工作电压。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,减少了开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异性能。
  5. 强大的电流承载能力,支持最高16A的连续电流。
  6. 高可靠性设计,适用于各种严苛的工业环境。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. UPS(不间断电源)系统。
  6. 电动车和混合动力汽车的功率管理模块。

替代型号

500R15N332JW4T, 500R15N332JX4T

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