500R15N332JV4T 是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 TO-247,能够承受较高的电流和电压,适合于需要高效能和可靠性的工业应用。
型号:500R15N332JV4T
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源极电压):1500V
RDS(on)(导通电阻):0.33Ω
ID(连续漏极电流):16A
封装:TO-247
功耗:500W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
500R15N332JV4T 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,支持高达1500V的工作电压。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异性能。
5. 强大的电流承载能力,支持最高16A的连续电流。
6. 高可靠性设计,适用于各种严苛的工业环境。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. UPS(不间断电源)系统。
6. 电动车和混合动力汽车的功率管理模块。
500R15N332JW4T, 500R15N332JX4T