DAM1MA39 时间：2025/9/7 15:28:14 阅读：33

DAM1MA39 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件主要用于需要高效率、高频率切换的功率转换电路中，例如DC-DC转换器、开关电源、马达驱动器和负载开关等应用。DAM1MA39采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，能够在较低的导通电阻（Rds(on)）下提供较高的电流承载能力，同时具备较低的开关损耗，适用于高效率的电源管理应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

特性

DAM1MA39具备多项高性能特性，适用于多种电源管理应用。其沟槽式MOSFET结构显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件的低导通电阻特性还意味着在高电流应用中，温度上升相对较低，有助于提高系统的热稳定性。
　　DAM1MA39的最大漏源电压为30V，适用于大多数中低压功率转换应用。其连续漏极电流能力为12A，使得该器件能够在较高负载条件下稳定工作。栅源电压容限为±20V，意味着它能够与多种驱动电路兼容，包括常见的12V和15V驱动电源。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（也称为DPak），具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型电路板设计中使用。此外，TO-252封装具有较高的机械强度和热稳定性，适合工业级应用环境。
　　开关特性方面，DAM1MA39具备较低的输入电容（Ciss）和较小的栅极电荷（Qg），这使得其在高频开关应用中表现优异，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体系统的效率。这对于高频率工作的DC-DC转换器或同步整流电路尤为重要。
　　该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其能够在较宽的温度范围内可靠运行，适用于各种恶劣的工业和车载环境。

应用

DAM1MA39适用于多种功率电子设备和系统，特别是在需要高效率和高频率切换的应用中。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、马达驱动器、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制电路。在同步整流电路中，DAM1MA39可以作为整流器使用，以提高转换效率。此外，它也常用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，用于实现高效的电压调节和功率分配。