MM15FU120K 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,非常适合需要高效能和可靠性的应用环境。
该型号属于 N 沟道增强型功率 MOSFET,能够承受较高的电压和电流,并具备良好的耐用性和稳定性。其封装形式通常为 TO-247 或其他适合大功率应用的封装。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:15A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:95nC
开关时间:开启时间 60ns,关闭时间 35ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
MM15FU120K 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,支持高达 1200V 的漏源电压,适用于高压电路设计。
2. 极低的导通电阻,有效减少导通损耗,提升系统效率。
3. 快速开关性能,确保高频操作下的低开关损耗。
4. 优化的栅极驱动设计,简化了驱动电路设计并提高了系统的可靠性。
5. 具备短路保护功能,进一步增强了器件在极端条件下的生存能力。
6. 宽温度范围的工作能力,使其适应各种恶劣环境。
该器件的应用领域非常广泛,主要包括:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动车控制器。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 高频电力电子变换器,例如 PFC(功率因数校正)电路。
由于其高耐压和低损耗特点,特别适合于需要高效能量转换的场合。
MM15FU120J, IRFP460, STP15NK120Z