时间：2025/9/7 13:01:14
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DAM04SMA51 是一款由Diodes Incorporated生产的双路N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用SOT-26（SMA）封装，适用于高效率电源管理和开关应用。DAM04SMA51的设计旨在提供高功率密度和低导通电阻，以满足便携式设备、电源适配器和DC-DC转换器等应用的需求。
类型：MOSFET（N沟道）
漏极电流（ID）：4A（最大值）
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（最大值，@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：SOT-26（SMA）
DAM04SMA51 MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高效率电源管理系统。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。在4A的连续漏极电流能力下，DAM04SMA51能够满足多种中等功率应用的需求。其30V的漏极-源极击穿电压提供了足够的电压裕量，适用于常见的低压电源系统。
该MOSFET采用SOT-26（SMA）封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其±20V的栅极-源极电压耐受能力确保了器件在各种开关条件下都能稳定工作。此外，DAM04SMA51的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。
作为一款双路MOSFET器件，DAM04SMA51在单一封装中集成了两个独立的N沟道MOSFET，减少了外部元件数量并提高了系统可靠性。这种集成设计特别适合需要双路独立控制的电源管理系统，如负载开关、马达驱动和同步整流器等应用场景。
DAM04SMA51 MOSFET广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关控制。在便携式电子产品中，该器件可用于优化电源管理，提高能效并延长电池寿命。此外，DAM04SMA51还可用于电源适配器、USB电源管理和小型马达驱动电路。
由于其双路MOSFET结构，DAM04SMA51也适用于需要两个独立开关元件的应用，例如H桥驱动电路、同步整流器和双路负载控制。在工业自动化和消费电子产品中，该器件可作为高效的功率开关，用于控制LED背光、风扇电机和其他外围设备的电源供应。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002, DMN61D8LVT
