类型：NPN晶体管阵列
　　配置：共发射极，双晶体管
　　集电极-发射极电压 (Vceo)：50V
　　集电极-基极电压 (Vcbo)：50V
　　发射极-基极电压 (Vebo)：5V
　　集电极电流 (Ic)：100mA
　　功率耗散 (Pd)：300mW
　　直流电流增益 (hFE)：100 ~ 600（典型值300）
　　饱和电压 (Vce(sat))：典型值0.2V（Ic = 10mA, Ib = 0.5mA）
　　过渡频率 (fT)：100MHz
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

DA4008K的核心优势在于其高度集成的双NPN晶体管结构，能够在极小的SOT-23封装内提供两个电气特性高度匹配的晶体管，极大简化了电路设计并节省PCB空间。每个晶体管均具备优异的直流电流增益（hFE），典型值可达300，在低电流条件下仍能保持稳定的放大能力，适用于前置放大器和高精度传感信号处理。其最大集电极电流为100mA，足以驱动小型继电器、LED或逻辑门电路，同时饱和压降低至0.2V左右，显著减少导通损耗，提高能源利用效率。
　　该器件的高频响应性能出色，过渡频率（fT）达到100MHz，使其不仅适用于直流和低频开关应用，还能胜任中高频信号处理任务，如脉冲整形、时钟缓冲和数字信号再生。其快速开关特性保证了上升和下降时间短，减少了信号延迟和交叉失真，特别适合用于高速逻辑接口和PWM控制场景。
　　DA4008K的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境下的长期可靠性，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等严苛应用场景。器件采用先进的硅外延工艺制造，具有良好的热稳定性和抗老化能力。此外，所有引脚均符合无铅（Pb-free）和RoHS标准，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　由于内部两个晶体管共享同一衬底且布局对称，它们在温度变化下表现出良好的热跟踪性，有利于差分对电路中的共模抑制比（CMRR）提升。这种匹配特性也使其成为有源负载、镜像电流源和推挽输出级的理想选择。整体而言，DA4008K是一款功能强大、可靠性高、适用范围广的通用型晶体管阵列器件。

DA4008K广泛应用于各类电子系统中，尤其适用于需要小型化和高集成度的设计。常见用途包括LED驱动电路，其中两个晶体管可分别控制不同颜色或区域的LED，实现动态显示效果；在电源管理单元中，可用于稳压反馈回路或作为使能控制开关，精确调控供电路径；在传感器信号调理电路中，常被用作前置放大器或电平移位器，将微弱信号转换为标准逻辑电平。
　　该器件也非常适合用于逻辑电平转换，例如在3.3V与5V系统之间进行双向信号传输，保障数字通信的完整性。在微控制器外围接口扩展中，DA4008K可作为驱动缓冲器，增强IO口的负载能力，驱动继电器、蜂鸣器或其他外部执行机构。此外，在模拟开关、多路复用器和音频信号路由电路中，也可利用其开关特性实现信号通断控制。
　　工业自动化设备中，该器件可用于PLC输入输出模块的信号隔离与放大；消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，则用于背光控制、按键扫描和电源序列控制等功能。由于其高可靠性和环保合规性，DA4008K同样适用于汽车电子中的车身控制模块、仪表盘指示灯驱动和车载传感器接口等应用领域。

MMBT3904DW1T1
　　FMMT213
　　BC847BDW1T1
　　ZTX851