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IRF7353D1 发布时间 时间:2025/5/28 10:08:03 查看 阅读:12

IRF7353D1 是一款 N 沱宽能沟道 MOSFET,适用于高效率功率转换和电机驱动等应用。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有较低的导通电阻和极快的开关速度,能够显著提高系统效率并减少热量损耗。
  IRF7353D1 在设计上优化了其动态性能和静态性能,适合在高频条件下工作,同时保持较低的功耗。此外,该器件封装紧凑,有助于节省 PCB 空间。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:8nC
  输入电容:2920pF
  总功耗:345W
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263-3

特性

IRF7353D1 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 采用 TO-263-3 封装,具备良好的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 可靠的热稳定性,能够在较宽的温度范围内工作。

应用

IRF7353D1 广泛应用于多种功率电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的高效功率开关。
  2. 电机驱动应用中的功率级控制。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 通信电源系统中的同步整流电路。
  5. 汽车电子系统的功率转换与控制。
  6. 家用电器中的功率驱动单元。

替代型号

IRF7353,
  IRF7353PBF,
  IRF7353TRPBF

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IRF7353D1参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫欧 @ 5.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7353D1