D8273-4 时间：2025/10/30 9:32:02 阅读：31

D8273-4是一款由日本电气（NEC）公司生产的双极型静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于早期的高速存储器器件之一。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗、高可靠性和良好的抗干扰性能，广泛应用于工业控制、通信设备、仪器仪表以及嵌入式系统中。D8273-4的封装形式通常为双列直插式（DIP）或小型封装（SOIC），便于在各种印刷电路板上安装和使用。该器件的工作电压一般为5V，兼容TTL电平，因此可以与多种微处理器和逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换电路。作为一款异步SRAM，D8273-4在没有时钟信号的情况下通过地址线和控制信号（如片选CE、写使能WE、输出使能OE等）来完成数据的读写操作，适用于对实时性要求较高的应用场景。
　　D8273-4的存储容量为4K × 8位，即总共可存储4096个字节的数据。其访问时间通常在几十纳秒级别（例如70ns或100ns版本），能够满足当时大多数高速数据缓存和临时存储的需求。由于其静态特性，只要电源保持供电，数据就能持续保存，不需要像DRAM那样进行周期性的刷新操作，从而简化了系统设计并提高了稳定性。随着半导体技术的发展，D8273-4已逐渐被更小体积、更低功耗和更高密度的现代SRAM所取代，但在一些老旧设备的维护和替代设计中仍具有一定的参考价值。

参数

型号：D8273-4
　　类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：4K × 8位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：70ns / 100ns（视具体版本而定）
　　封装形式：DIP-28、SOIC-28
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　输入电平：TTL兼容
　　读写控制：异步，支持CE、WE、OE控制信号
　　功耗：典型值约75mW（待机时更低）
　　存储结构：静态双稳态触发器

特性

D8273-4作为一种经典的异步SRAM器件，具备多项关键特性以支持其在复杂电子系统中的稳定运行。首先，其采用静态存储单元设计，每个存储位由一个双稳态触发器构成，只要持续供电即可无限期保持数据状态，无需动态刷新机制，这不仅降低了系统控制器的设计复杂度，也提升了数据的可靠性与响应速度。其次，该芯片支持全地址解码与片选逻辑，允许在多芯片系统中灵活配置存储空间，并通过低电平有效的片选信号（CE）实现快速启用或禁用，有助于降低整体系统功耗。写使能（WE）和输出使能（OE）信号分别独立控制写入与读出操作，确保了读写过程的安全隔离，防止总线冲突。
　　在电气特性方面，D8273-4完全兼容TTL电平标准，可以直接连接到当时的主流微处理器（如Z80、8085、6800等）而无需额外的电平转换电路，极大地方便了系统集成。其高速访问能力（典型70ns访问时间）使其适用于需要快速响应的中断处理、缓冲区管理及实时数据采集场景。此外，该芯片在待机模式下电流消耗显著降低，适合用于间歇性工作的低功耗应用环境。制造工艺上采用高性能CMOS技术，在保证速度的同时有效控制了静态和动态功耗，相较于早期的NMOS SRAM具有更优的能效表现。
　　物理封装方面，D8273-4提供DIP-28和SOIC-28两种常见形式，前者适合原型开发和手工焊接，后者则适用于自动化贴片生产，增强了其在不同制造环境下的适应性。尽管该器件现已停产或进入生命周期末期，但由于其结构简单、时序清晰，仍在教育实验、复古计算项目以及工业备件替换中具有一定需求。其引脚布局合理，地址线与数据线分离明确，便于布线与调试，是学习存储器接口设计的理想范例。

应用

D8273-4主要用于需要中等容量高速静态存储的应用场合。典型应用包括工业自动化控制系统中的数据缓存、通信设备的帧缓冲存储、测试仪器的数据暂存区、嵌入式系统的程序与变量存储，以及老式计算机和终端设备的主内存扩展。由于其异步接口特性，它常被用于与无片内存储器的微控制器或微处理器配合使用，作为外部RAM扩展模块。在一些需要高可靠性和长期稳定运行的军用或工业设备中，也曾采用此类器件进行关键数据的临时保存。此外，在教学实验平台中，D8273-4因其接口简单、时序明了，被广泛用于讲解SRAM工作原理和存储器接口设计的教学案例。
　　在实际系统设计中，D8273-4通常与其他逻辑芯片（如地址锁存器、译码器）配合使用，构建完整的存储子系统。例如，在基于Z80 CPU的系统中，可通过地址总线A0-A11选择4K地址空间，数据总线D0-D7进行读写传输，结合时序控制电路实现正确的读写周期。其低功耗特性也使其适用于电池供电或远程监测设备中作为临时数据记录单元。虽然现代系统更多采用集成度更高的微控制器内部RAM或同步SRAM，但在维护旧设备或复刻经典系统时，了解D8273-4的应用方式仍然具有重要意义。