D7N60 时间：2025/8/25 4:30:04 阅读：3

D7N60 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器等电力电子设备中。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备较高的耐压和较大的导通电流能力，适用于中高功率场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：7A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D7N60 MOSFET具有以下几个显著特性：
　　首先，其高耐压特性（600V VDS）使其适用于多种高压开关应用，如电源适配器、LED驱动电源、电机控制等。其次，该器件具备良好的导通性能，导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，D7N60采用TO-252封装，具有良好的热稳定性和散热能力，适用于紧凑型设计和中高功率应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，一般可在10V至20V之间驱动导通，适应性强。同时，D7N60具有较高的短时过载能力和抗冲击电流能力，能够在负载突变或启动瞬间提供稳定的性能。
　　从可靠性角度出发，D7N60具有良好的温度稳定性和长期工作可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。其封装形式也便于安装在PCB板上，并可通过散热片进一步增强散热能力，提升整体系统的稳定性。

应用

D7N60广泛应用于各类电力电子设备中，主要包括：
　　开关电源（SMPS）中作为主开关管，用于AC-DC转换电路，适用于适配器、充电器、电源模块等；DC-DC转换器中用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，适用于电池供电设备、新能源系统等；逆变器和变频器中用于控制功率输出；电机驱动和马达控制电路中作为高速开关元件；LED恒流驱动电源中作为主控开关管；此外还可用于继电器驱动、电磁炉、UPS不间断电源等场景。
　　由于其良好的性能和封装形式，D7N60也常用于一些高性价比的工业控制和消费类电子产品中。