时间：2025/8/25 0:00:27
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FQP52N15是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器、马达驱动以及各种功率控制领域。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于中高功率应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：52A
最大漏源电压（VDS）：150V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.027Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-262、TO-220等
FQP52N15的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET具备良好的热稳定性和热阻性能，确保在高温环境下依然能够可靠运行。
其快速开关特性使其适用于高频开关电源应用，有助于减小外部滤波元件的体积。
此外，FQP52N15的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，适用于多种驱动电路设计。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工况下提供更高的可靠性。
由于其优异的性能，FQP52N15被广泛用于工业电源、电动车驱动、太阳能逆变器以及电池管理系统等领域。
FQP52N15主要应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、马达控制电路、电池充电器、不间断电源（UPS）、电动车控制器、LED驱动电源、工业自动化设备以及各类功率放大器等。
在这些应用中，FQP52N15以其高效、低损耗和稳定可靠的性能，成为众多工程师的首选功率MOSFET之一。
IRF540N, FDP52N15, STP55N15, FQP55N15, FDB52N15
