CXK58267AM 是一种高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)公司生产。这款芯片属于异步SRAM类别,具有较高的性能和可靠性,适用于需要快速数据存取的应用场合。CXK58267AM 采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和宽温度范围的工作能力,适合工业级应用。该芯片的容量为256K位(32K x 8),支持高速读写操作,广泛应用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统和网络设备等领域。
容量:256K位(32K x 8)
电源电压:3.3V 或 5V 可选
访问时间:10ns、12ns、15ns 等多种速度等级可选
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装类型:TSOP、SOJ、PLCC 等多种封装形式
数据保持电压:最小1.5V
最大工作电流:根据速度等级和工作模式不同而变化
封装引脚数:52引脚(TSOP)、48引脚(SOJ)等
CXK58267AM 的主要特性包括高速存取能力、低功耗设计以及宽温度范围适应性。该芯片支持异步操作,允许与各种控制器或处理器直接连接,无需额外的时序控制逻辑。其高速访问时间(最低可达10ns)使得该芯片能够满足高性能系统的数据处理需求。此外,CXK58267AM 采用CMOS技术,不仅降低了功耗,还提高了抗干扰能力和稳定性。
该芯片支持多种封装形式,包括TSOP、SOJ 和 PLCC,适应不同PCB布局和空间限制的应用场景。其宽温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于工业环境和恶劣条件下的设备。数据保持电压低至1.5V,确保在电源波动或低功耗模式下数据不会丢失。
另外,CXK58267AM 还具备简单的控制信号接口,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与外部控制器连接。其读写操作可通过这些控制信号灵活管理,支持各种操作模式,如读取、写入、待机等。这种灵活性使得该芯片能够广泛应用于不同的嵌入式系统和实时控制系统。
CXK58267AM 通常用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合。常见的应用包括通信设备中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据处理、嵌入式系统的程序存储和运行内存、网络设备中的数据包缓冲等。此外,该芯片也适用于测试设备、医疗仪器、汽车电子系统以及高性能计算模块等对数据处理速度和稳定性有较高要求的场景。
CY62167EVLL-SI75ZE
CY62168E
IS61LV25616