时间：2025/4/30 17:18:27
阅读：4
D6PE2G132P3DWBZ 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率转换电路中。其设计旨在提供高效率和低导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，具备快速开关特性和低栅极电荷，非常适合高频应用环境。此外，它还具有出色的热稳定性和抗静电能力（ESD 保护），能够适应严苛的工作条件。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263
VDS（漏源极电压）：100V
RDS(on)（导通电阻）：132mΩ
ID（连续漏极电流）：45A
Qg（总栅极电荷）：38nC
fT（截止频率）：1.7MHz
VGS(th)（栅源开启电压）：2V~4V
Tj（工作结温范围）：-55℃~175℃
D6PE2G132P3DWBZ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷 Qg 和较高的 fT 值。
3. 高度可靠的设计，支持高达 175℃ 的结温操作。
4. 提供强大的过流能力和稳健的电气性能，确保在各种负载条件下稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强了产品的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业设备中的负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
6. 汽车电子中的继电器替代方案。
7. 各类消费电子产品中的高效功率转换模块。
D6PE2G132P3DWBT, IRFZ44N, FDP18N10
