APT77N60BC6是一款由Microchip Technology生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电流和高电压应用。该器件采用先进的功率沟槽(Power Trench)技术,提供低导通电阻和高效的开关性能,适用于需要高可靠性和高性能的工业、汽车和消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大连续漏极电流(Id):77A
最大脉冲漏极电流(Idm):308A
导通电阻(Rds(on)):0.047Ω
栅极电荷(Qg):170nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
APT77N60BC6采用了Microchip的专有功率沟槽技术,这种技术能够显著降低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于高功率密度设计。此外,APT77N60BC6还具备出色的短路耐受能力,确保在极端条件下仍能保持稳定运行。该器件的封装设计优化了散热性能,有助于提高整体系统的可靠性和寿命。
APT77N60BC6广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:工业电机驱动、电源转换器(如DC-DC转换器和AC-DC电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电动工具和家用电器(如高效节能洗衣机和空调系统)。由于其高可靠性和高效能,该MOSFET也常用于需要高电流和高电压特性的自动化控制系统和工业机器人。
APT77N60B、APT77N60CF、APT77N60B2C6