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APT77N60BC6 发布时间 时间:2025/7/25 11:16:40 查看 阅读:5

APT77N60BC6是一款由Microchip Technology生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电流和高电压应用。该器件采用先进的功率沟槽(Power Trench)技术,提供低导通电阻和高效的开关性能,适用于需要高可靠性和高性能的工业、汽车和消费类电子产品。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大连续漏极电流(Id):77A
  最大脉冲漏极电流(Idm):308A
  导通电阻(Rds(on)):0.047Ω
  栅极电荷(Qg):170nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

APT77N60BC6采用了Microchip的专有功率沟槽技术,这种技术能够显著降低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于高功率密度设计。此外,APT77N60BC6还具备出色的短路耐受能力,确保在极端条件下仍能保持稳定运行。该器件的封装设计优化了散热性能,有助于提高整体系统的可靠性和寿命。

应用

APT77N60BC6广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:工业电机驱动、电源转换器(如DC-DC转换器和AC-DC电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电动工具和家用电器(如高效节能洗衣机和空调系统)。由于其高可靠性和高效能,该MOSFET也常用于需要高电流和高电压特性的自动化控制系统和工业机器人。

替代型号

APT77N60B、APT77N60CF、APT77N60B2C6

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APT77N60BC6参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C77A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫欧 @ 44.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.6V @ 2.96mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds13600pF @ 25V
  • 功率 - 最大481W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件