时间：2025/4/30 11:55:36
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D6HQ1G962DP39-Z 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高切换频率的特点，能够显著提升系统的效率与可靠性。
这款器件支持宽电压范围操作，并具备出色的热性能和电气特性，使其非常适合对功耗和散热要求较高的应用场合。
类型：MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：1.8mΩ
IDS（连续漏极电流）：96A
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
切换频率：高达 2MHz
总功耗：25W
D6HQ1G962DP39-Z 提供了卓越的电气性能，包括超低的导通电阻（RDS(on)），这使得传导损耗降到最低，从而提升了整体效率。
其高切换频率能力允许设计者使用更小尺寸的无源元件，进一步缩小系统体积并降低成本。
同时，该器件还具备增强的热管理功能，即使在高负载条件下也能保持稳定运行。此外，坚固的封装结构确保了长期使用的可靠性和耐用性。
该芯片适用于多种电力电子应用场景，例如高效能 DC-DC 转换器、同步整流电路、太阳能逆变器中的功率转换模块、电动汽车牵引逆变器以及工业自动化设备中的伺服驱动系统。
另外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器等领域也有广泛应用。
D6HQ1G962DP39-N, IRFZ44N, FDN340P
