时间：2025/8/6 11:00:22
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IXTR210P10T 是一款由 IXYS 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率电源转换和功率控制应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。IXTR210P10T 采用 TO-220 封装形式，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等多种应用场合。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：-100V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id（在 25°C 下）：-18A
导通电阻 Rds(on)：≤ 110mΩ @ Vgs = -10V
功率耗散 Pd：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
IXTR210P10T 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在 -100V 的漏源电压下工作，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。此外，其最大连续漏极电流为 -18A，在良好的散热条件下可支持较高的负载能力，适合用于需要稳定电流控制的场合。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，通常在 -10V 下工作，以确保完全导通。其封装形式为 TO-220，具有良好的热传导性能，便于安装散热片以提高散热效率。IXTR210P10T 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了器件在恶劣环境下的可靠性和耐用性。
此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保的要求。其内部结构优化设计，减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
IXTR210P10T 广泛应用于多种电源和功率控制领域。在工业电源系统中，该器件可用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流器，以提高能量转换效率。在电机控制和伺服驱动系统中，IXTR210P10T 可作为负载开关或 H 桥中的功率开关元件，实现对电机的精确控制。
此外，该 MOSFET 常用于电池管理系统（BMS），作为充放电路径的控制开关，确保电池组的安全运行。在家用电器和消费类电子产品中，IXTR210P10T 也可用于电源管理模块，实现对负载的高效控制。
由于其高可靠性和良好的热稳定性，IXTR210P10T 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。在这些应用中，该器件能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
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"IRF9Z34N",
"FDP18N40P",
"SiHP10P10"
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