时间：2025/9/16 5:41:24
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HSMS-285C-TR1G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现为Broadcom）制造的表面贴装单刀双掷（SPDT）射频开关二极管。该器件采用高线性度的PIN二极管结构，适用于需要高隔离度和低插入损耗的射频和微波应用。HSMS-285C-TR1G封装为SOT-23，适用于自动化贴片工艺，广泛用于通信设备、测试仪器和无线基础设施中。
工作频率范围：0.1 MHz至2.5 GHz
最大正向电流（IF）：10 mA
反向击穿电压（VR）：100 V
典型隔离度（Off状态）：20 dB @ 1 GHz
典型插入损耗（On状态）：0.3 dB @ 1 GHz
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C至+150°C
HSMS-285C-TR1G射频开关二极管采用了高性能的硅PIN二极管技术，具有优异的射频性能和稳定性。其频率范围覆盖从低频到2.5 GHz，适用于多种无线通信系统。该器件在On状态下具有极低的插入损耗，通常仅为0.3 dB，从而保证了信号传输的完整性；在Off状态下则提供高达20 dB的隔离度，有效减少了信号路径之间的干扰。
此外，HSMS-285C-TR1G具有较高的线性度和较低的失真特性，适用于高精度和高稳定性要求的应用场景。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。器件的工作温度范围宽，适用于工业级环境条件。
该二极管还具有较高的反向击穿电压（100 V），增强了其在高压环境下的耐受能力。同时，其正向电流额定值为10 mA，适用于标准的CMOS或TTL驱动电路，便于与各类控制器或射频前端电路集成。
HSMS-285C-TR1G广泛应用于各种射频和微波电路中，如无线通信系统中的天线切换、发射/接收开关、滤波器切换和功率放大器控制等。该器件的高隔离度和低插入损耗特性使其非常适合用于基站、无线接入点、测试与测量设备以及工业控制系统中的射频信号路径管理。
由于其优异的线性度和低失真特性，HSMS-285C-TR1G也常用于软件定义无线电（SDR）、雷达系统和射频测试设备中，作为高可靠性开关元件。同时，其紧凑的SOT-23封装使其适用于空间受限的设计，例如便携式通信设备和小型化射频模块。
在实际应用中，该器件通常与射频放大器、混频器和滤波器配合使用，以实现灵活的信号路由和系统优化。其高耐压特性也使其在高功率瞬态环境下具有较好的鲁棒性，适合用于需要长期稳定运行的工业和通信设备中。
HSMS-285C-TR1G的替代型号包括HSMS-286C-TR1G和BAR400112Q。
