时间：2025/8/25 2:08:04
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D45VH6 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件专为高功率、高频应用设计，常见于电源转换、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统中。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效率和紧凑设计的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：45A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.022Ω（典型值）
功耗（PD）：134W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220或TO-263（表面贴装）
D45VH6 MOSFET采用了先进的沟槽式栅极技术，实现了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体能效。其高电流容量和低Rds(on)特性使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。D45VH6还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。
在封装方面，D45VH6提供TO-220和TO-263两种选项，便于根据不同的PCB布局需求进行安装。TO-263封装适用于表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减少电路板空间占用。此外，该MOSFET内置了静电放电（ESD）保护结构，增强了器件在装配和运行过程中的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，支持与多种驱动IC的兼容性。这种灵活性使其在多种应用中都能实现良好的性能。
D45VH6广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备、照明系统（如LED驱动器）以及电机控制模块。由于其高效率和良好的热性能，D45VH6也常用于需要长时间高负载运行的工业设备中，如不间断电源（UPS）和储能系统。
Si4410BDY, IRF1405, FDP4410, IPD90N06S4-03, AUIRF1405
