类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压VDS：650V
　　最大栅源电压VGS：±20V
　　持续漏极电流ID：38A
　　导通电阻RDS(on)：0.38Ω（在VGS=10V时）
　　总功耗Ptot：320W
　　结温范围Tj：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-247

LSD65R380HT是一款高压N沟道功率MOSFET，具有以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：漏源极之间的最高耐压可达650V，适用于各种高电压环境。
　　2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为0.38Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关速度：得益于优化的内部结构设计，开关时间短，适合高频开关应用。
　　4. 高可靠性：具备良好的雪崩能力和抗静电能力，可承受瞬态电压冲击。
　　5. 优秀的热性能：采用TO-247封装，散热性能良好，能有效降低芯片温度，延长使用寿命。
　　6. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+175℃的结温范围，适应恶劣的工作条件。
　　这些特性使得LSD65R380HT成为高电压、大电流应用的理想选择，特别适合需要高效能量转换和稳定运行的场景。

LSD65R380HT适用于以下应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、PC电源等，提供高效的电能转换。
　　2. 电机驱动：用于工业自动化设备中的电机控制，如伺服驱动器、变频器等。
　　3. DC-DC转换器：在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统中实现电压调节。
　　4. 太阳能逆变器：将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并接入电网。
　　5. 电磁阀控制：用于工业和家用电器中的电磁阀驱动电路。
　　6. 充电器：为锂电池和其他储能设备提供快速充电功能。
　　由于其卓越的性能，LSD65R380HT可以满足各种复杂应用需求，并确保系统稳定可靠地运行。

LSD65R380KTT, IRF840, STP30NF65