时间：2025/7/22 8:37:42
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D2N80 是一款常用的N沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率放大、开关电源、电机控制等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力。D2N80的电气特性使其适用于中高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：7A（25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（最大）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
D2N80具有良好的高温稳定性，可以在恶劣的环境条件下稳定工作。其N沟道结构设计使得在导通状态下具有较低的导通损耗，适用于高频开关应用。
此外，该晶体管具备较强的抗静电能力，能够在一定范围内抵御静电击穿，从而提高了器件的可靠性。
由于其TO-220封装具备良好的散热性能，D2N80适用于需要较大功率耗散的应用场合。同时，其较高的VDS耐压能力也使其适用于高压电源转换器和电机驱动电路。
D2N80的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间可实现良好的导通特性，这使其与多种驱动电路兼容。
D2N80常用于开关电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机控制以及各种中高功率电子设备中。由于其具备较高的电压和电流能力，特别适合用于需要频繁开关操作的功率控制电路。
此外，该器件也广泛应用于照明控制、电焊设备、电动车驱动器等高电压和高电流负载的控制应用中。
在工业自动化控制系统中，D2N80可用作固态继电器或负载开关，实现对大功率负载的高效控制。
IRF840, IRF740, FQP8N80C
