时间:2025/12/26 3:41:41
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ES2DA-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-323封装。该器件专为在高频率开关应用中实现高效整流而设计,适用于需要低正向电压降和快速恢复时间的电路环境。由于其紧凑的封装形式,ES2DA-13-F非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局场景。该二极管具有良好的热稳定性和可靠性,在工业级温度范围内(-55°C至+150°C)均能保持稳定的电气性能。其主要结构由铂或钨等金属与N型半导体形成肖特基接触,从而实现较低的导通压降和极短的反向恢复时间,显著优于传统的PN结二极管。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适合现代绿色电子产品制造需求。ES2DA-13-F广泛应用于电源管理单元、DC-DC转换器、逆变器、信号解调电路以及极性保护电路中,尤其在高频工作的开关电源拓扑如同步整流、续流二极管等场合表现出色。
产品类型:肖特基二极管
封装/外壳:SOD-323
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
最大重复峰值反向电压(VRRM):20V
最大直流阻断电压(VR):20V
最大正向平均整流电流(IF(AV)):200mA
最大正向压降(VF):450mV @ 100mA, 1A
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 16V
最大反向恢复时间(trr):1ns
工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C
峰值浪涌电流(IFSM):0.75A
ES2DA-13-F的核心优势在于其卓越的高频响应能力和高效的能量转换效率。由于采用了先进的肖特基势垒技术,该二极管在正向导通状态下表现出极低的电压降,典型值仅为380mV左右,最大不超过450mV(在100mA条件下),这一特性使其在低电压、大电流的应用中能够有效减少功耗并提升系统整体效率。相比传统硅PN结二极管通常具有0.7V以上的导通压降,ES2DA-13-F可显著降低热损耗,提高电源转换效率,特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
另一个关键特性是其超快的反向恢复时间(trr),标称值仅为1纳秒,这意味着该器件能够在极高频率下进行快速开关操作而不会产生明显的反向恢复电荷堆积现象。这种特性对于防止在开关电源中出现电压尖峰和电磁干扰(EMI)至关重要,有助于提升系统的稳定性与电磁兼容性。此外,极短的trr也使得该二极管可用于高频整流、射频检波及高速逻辑电路中的信号钳位功能。
该器件采用SOD-323小型化表面贴装封装,尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm,极大节省了印刷电路板的空间,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对体积要求严格的消费类电子产品。尽管封装小巧,但其热性能经过优化设计,可通过PCB散热路径有效传导热量,确保长期运行的可靠性。
ES2DA-13-F还具备良好的反向击穿特性和低漏电流表现,在20V额定电压下室温时反向漏电流典型值仅为0.1微安,降低了待机状态下的静态功耗。同时,它支持高达150°C的工作结温,适应严苛环境下的使用需求,如汽车电子或工业控制模块。综合来看,这款二极管在小型化、高效能与高可靠性之间实现了良好平衡,是现代高频低功耗电子系统中的理想选择。
ES2DA-13-F广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理电路,例如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备内的DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管或防反接保护元件。由于其低正向压降特性,能够最大限度地减少能量损失,提升电池利用率,延长设备工作时间。
在通信设备领域,该二极管常用于信号整流、包络检测和RF耦合电路中,尤其是在UHF频段以下的无线接收模块中实现高频信号解调。其纳秒级的反向恢复时间保证了对高速变化信号的准确响应,避免信号失真。
在工业自动化控制系统中,ES2DA-13-F可用于传感器接口电路、逻辑电平移位器以及I/O端口的瞬态电压抑制保护。此外,也可作为开关电源(SMPS)中的次级侧整流元件,特别是在低输出电压(如3.3V、5V)的小功率适配器或AC-DC控制器中发挥重要作用。
其他应用场景还包括LED驱动电路中的电流隔离、USB端口的极性保护、电池充电管理模块中的路径控制,以及各种嵌入式微控制器系统的电源轨保护设计。凭借其小型封装和优异的电气性能,该器件已成为现代高密度、高性能电子设计中的关键组件之一。
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