型号：D2816
　　制造商：National Semiconductor (NSC)
　　类型：CMOS DRAM
　　存储容量：16 Kbit (2K x 8)
　　工作电压：+5V ±10%
　　访问时间：典型值70ns - 150ns（依具体子型号而定）
　　封装形式：28-pin DIP、SOIC等
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　刷新周期：典型2ms内完成全部行刷新
　　RAS到CAS延迟：符合标准DRAM时序要求
　　功耗：静态电流约数mA，动态功耗随频率增加
　　地址引脚：A0-A10（复用行/列地址）
　　数据引脚：DQ0-DQ7（双向）
　　控制信号：RAS, CAS, WE, OE（部分变体）

D2816的核心特性之一是其高密度与低功耗的结合，这得益于其采用的CMOS工艺技术。相较于早期的NMOS或PMOS DRAM，CMOS结构显著降低了静态功耗，使得该芯片更适合用于对功耗敏感的系统中。此外，CMOS工艺提高了抗噪声能力和稳定性，增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性。其16Kbit的存储容量在发布时期属于主流水平，足以支持小型操作系统、固件缓存、显示缓冲区等多种用途。
　　另一个关键特性是地址多路复用机制。D2816使用11位地址线（A0-A10），通过RAS和CAS两个选通信号分别锁存行地址和列地址，从而将原本需要19根独立地址线的设计压缩至仅需11根，极大减少了PCB布线复杂度和封装成本。这一设计成为后续DRAM发展的标准范式。同时，该芯片支持标准的异步读写控制，兼容当时主流的微处理器总线时序，如Z80、8086等，便于系统集成。
　　D2816还具备自动刷新和自定时控制能力。在正常运行期间，外部控制器需定期触发RAS-only刷新周期，以确保每一行存储单元在规定时间内被重新充电。这种机制虽然增加了系统设计的复杂性，但保证了数据的长期稳定存储。此外，芯片内部集成了Sense Amplifier（感应放大器）和地址译码逻辑，能够在较短时间内完成数据读取和写入操作，提供稳定的性能表现。尽管现代SDRAM已全面取代此类异步DRAM，但在某些复古计算、维修老旧设备或教学实验场合，D2816仍具有一定的应用价值。

D2816主要应用于上世纪80年代至90年代初的各种电子系统中，尤其是在早期个人计算机、工业控制终端、测试仪器和通信设备中扮演重要角色。例如，在一些基于Z80或8086架构的微型计算机系统中，D2816常被用作主内存或视频显示缓存，支持基本的操作系统运行和图形界面显示。由于其8位数据宽度与当时的8位处理器天然匹配，因此无需额外的数据总线扩展逻辑，简化了系统设计。
　　在工业自动化领域，D2816被用于PLC（可编程逻辑控制器）中的临时数据存储、I/O状态缓存以及程序运行缓冲区。这些应用场景通常要求较高的可靠性和适中的访问速度，而D2816凭借其成熟的制造工艺和稳定的性能表现，成为当时工程师的首选之一。此外，在通信设备如调制解调器、交换机接口板中，该芯片可用于帧缓冲、协议处理中间数据暂存等功能，满足实时性要求不极端但需一定存储空间的需求。
　　教育和科研机构也曾广泛使用D2816进行计算机体系结构教学和数字系统实验。学生可以通过实际搭建包含D2816的最小系统，深入理解动态RAM的工作原理、地址多路复用、刷新机制以及总线时序控制等核心概念。即使在今天，一些复古计算爱好者仍在修复或重建经典计算机系统时寻找D2816或其替代品，以保持系统的原始风貌和功能完整性。

MCM2816
　　IDT42816
　　CY7C2816
　　ISSI IS42S28160