BC857ALT1G (3E) 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大应用。该晶体管采用SOT-23小型表面贴装封装,适合在空间受限的电路设计中使用。BC857ALT1G属于BC856/857系列的一部分,具有高可靠性和稳定性,广泛应用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:30V
最大基极电流:5mA
最大功耗:300mW
最大工作温度:150°C
封装类型:SOT-23
直流电流增益(hFE):110 至 800(根据等级不同)
过渡频率:250MHz
饱和电压(VCE(sat)):最大为300mV(在100mA时)
BC857ALT1G具有多种重要特性,使其在通用晶体管应用中表现出色。首先,其集电极-发射极电压额定值为30V,允许在较宽的电源电压范围内运行,适用于各种低压和中压电路。其次,该晶体管的最大集电极电流为100mA,能够支持中小型功率开关应用。此外,BC857ALT1G的hFE(直流电流增益)范围较广,分为多个等级(如hFE = 110-800),用户可根据具体需求选择合适的型号,提高电路设计的灵活性。
该晶体管的过渡频率高达250MHz,意味着它不仅适用于低频开关和放大电路,还能在射频(RF)或高速开关环境中表现出良好的性能。同时,BC857ALT1G的饱和电压较低,确保在导通状态下功耗较低,从而提高整体能效并减少散热问题。
另一个显著优势是其采用SOT-23封装,这种小型封装非常适合用于高密度PCB布局,有助于减小电路板尺寸并提升制造效率。此外,BC857ALT1G符合RoHS标准,支持无铅工艺,满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
BC857ALT1G适用于多种通用电子电路设计,尤其是在需要中等功率开关或信号放大的场合。其典型应用包括数字开关电路中的控制元件,例如在微控制器输出端驱动继电器、LED或小功率电机等负载。此外,该晶体管也可用于音频放大电路中的前置放大级,提供低噪声、高稳定性的信号增益。
在消费电子领域,BC857ALT1G常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等产品中,作为逻辑控制或信号处理的关键元件。工业控制方面,该晶体管可用于传感器接口电路、电源管理模块和继电器驱动电路。由于其具备较高的频率响应能力,BC857ALT1G也可用于射频前端电路或低频射频开关应用。
另外,BC857ALT1G在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车身控制模块(BCM)、车灯控制单元和车载娱乐系统。其可靠的性能和小型封装使其成为汽车应用中节省空间和提升集成度的理想选择。
BC847ALT1G, BC857B, BC857C, 2N3904, PN2222A