型号：BR24L01AFVT-WE2
　　制造商：ROHM
　　存储容量：1Kbit (128 × 8)
　　接口类型：I2C Bus (支持1MHz高速模式)
　　工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-23-5
　　写保护功能：有（通过WP引脚）
　　写入周期寿命：1,000,000次
　　数据保持时间：100年
　　I2C地址支持：通过A0引脚选择
　　待机电流：最大1μA
　　读写电流：典型值3mA（Vcc=5V）
　　是否符合RoHS：是
　　是否车规级：是（AEC-Q100）

BR24L01AFVT-WE2采用先进的CMOS工艺制造，具有极低的功耗特性，非常适合电池供电或能量受限的应用场合。其宽泛的工作电压范围（1.7V至5.5V）使其能够在从低电压单节锂电池到传统5V逻辑系统的多种电源环境中稳定运行，增强了系统的适应性和灵活性。
　　该芯片支持I2C总线协议中的标准、快速和高速模式，最高通信速率可达1MHz，显著提升了数据读写效率，满足实时性要求较高的应用场景需求。器件内部集成了施密特触发输入电路，增强了对噪声的抑制能力，提高了在复杂电磁环境下的通信稳定性与可靠性。
　　存储阵列为128字节，支持字节写入和页写入（最多16字节每页），并具备自动地址递增功能，简化了主控MCU的编程逻辑。写操作期间会自动启动内建的定时器完成编程过程，用户可通过轮询机制判断写入是否完成。
　　芯片配备专用的写保护（WP）引脚，当该引脚接地时允许写操作；拉高至Vcc则锁定整个存储区域，防止误写或非法访问，保障关键数据安全。同时，I2C地址可通过外部A0引脚进行配置，允许多达两个相同型号的EEPROM共存于同一总线上，便于系统扩展存储容量。
　　该器件具备出色的耐久性和数据保持能力，支持高达100万次的擦写循环，数据可保存长达100年，确保长期使用的可靠性和稳定性。此外，其SOT-23-5小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能和机械强度，适用于自动化贴片生产流程。整体设计兼顾性能、功耗、尺寸与可靠性，是现代嵌入式系统中理想的串行存储器选择。

BR24L01AFVT-WE2广泛应用于各类需要非易失性数据存储的小型电子系统中。常见用途包括存储传感器校准参数、设备配置信息、序列号、用户设置以及运行日志等关键数据。在消费类电子产品如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机和智能家居控制器中，该芯片用于保存个性化设置和状态信息，断电后仍能保留数据。
　　在工业控制系统中，它被用于PLC模块、远程I/O单元和传感器节点中，记录设备工作参数和故障代码，支持维护和诊断功能。由于其通过AEC-Q100车规认证，因此也广泛应用于汽车电子领域，例如车载娱乐系统、车身控制模块（BCM）、仪表盘、空调控制面板和OBD-II诊断接口中，用于存储车辆配置、用户偏好及故障码信息。
　　此外，在医疗电子设备如便携式血压计、血糖仪和健康监测手环中，该芯片用来保存患者历史数据和设备校准值，确保测量精度的一致性。电源管理单元（PMU）、智能电表和无线通信模块也常采用此类EEPROM来实现固件参数存储和通信协议配置。
　　得益于其小封装、低功耗和高可靠性，BR24L01AFVT-WE2特别适合空间受限且对稳定性要求高的嵌入式应用，是连接主处理器与持久化数据存储之间的理想桥梁。

M24C01-RMN6TP
　　AT24C01D-SSHM-T
　　CAT24C01Y-2-GT3