时间：2025/6/30 23:20:23
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D25NF10L是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，广泛用于电源管理、电机驱动以及各种电子设备中的开关电路。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：25A
导通电阻：8mΩ
总功耗：14W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
D25NF10L具备低导通电阻的特点，能够有效降低功率损耗，并且其高开关速度使得它在高频应用中表现出色。
此外，该器件的耐热性能良好，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。由于采用了先进的制造工艺，D25NF10L还具有良好的可靠性和耐用性，适合长时间连续工作的应用场景。
该MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及负载开关等领域。在这些应用中，D25NF10L可以提供高效的功率转换和稳定的电气性能，同时减少发热问题，提升系统整体效率。
IRFZ44N
FDP5600
STP25NF06L
