晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：200°C
　　封装类型：TO-18金属罐封装
　　频率范围：适合高频应用（通常用于100MHz以下）
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA, Vce=5V时典型值为50-150（分档：2N111A为hFE=50-110）

2N111A晶体管具有良好的高频性能和低噪声特性，适用于前置放大器和射频信号放大。其金属封装有助于散热，提高了器件的稳定性。该晶体管的hFE参数分为多个等级（如2N111A为50-110），便于电路设计者根据需要选择合适的增益范围。此外，2N111A在低电压电源下仍能保持良好的性能，适用于多种模拟电路和放大电路应用。
　　由于其高频特性和低噪声性能，2N111A在早期的通信设备中被广泛使用，如收音机、电视接收器和无线通信设备等。其TO-18封装形式提供了良好的屏蔽效果，减少了外部干扰对高频信号的影响。尽管现代高频晶体管在性能上已经超越了2N111A，但由于其稳定性和易于获取的特点，它仍然是许多爱好者和维修工程师的首选之一。
　　2N111A的工作频率通常在100MHz以下，适用于中频放大和射频前端设计。它在设计上具有较高的线性度，能够有效减少信号失真，适用于音频和射频放大电路。同时，其金属封装也使得它在高温环境下仍能保持稳定工作。

2N111A主要用于射频和中频放大电路，常见于老式收音机、电视接收器、无线通信设备和测试仪器中。它也适用于低噪声前置放大器、音频放大器和通用开关电路。由于其高频性能良好，2N111A在许多模拟电路中被用于信号放大和调制解调电路。此外，在电子爱好者和复古电子设备修复领域，2N111A也常被用于经典电路的复刻与维护。
　　在通信设备中，2N111A通常被用于中频放大级，以提高信号的增益和稳定性。在广播接收器中，它常用于RF前端放大器和混频器部分。在工业控制系统中，2N111A可用于信号处理和接口电路。此外，由于其良好的低噪声性能，它也适用于高灵敏度传感器放大电路和低频模拟信号处理应用。

2N111, 2N3904, BC109C, BF199