容量：256K x 4位
　　电压：5V
　　封装形式：TSOP
　　访问时间：8 ns（纳秒）
　　数据宽度：4位
　　工艺技术：CMOS
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　引脚数：50
　　工作模式：异步
　　存储架构：DRAM

HM514260ALTT-8 采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高集成度的特点。其异步接口设计使其易于与多种控制器配合使用，无需严格的时钟同步，简化了系统设计的复杂性。
　　该芯片的访问时间仅为8纳秒，具有较快的数据读取速度，适用于需要快速响应的实时系统。此外，其256K x 4位的存储容量在当时能够满足许多嵌入式系统和控制类设备的存储需求。
　　TSOP封装不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度PCB布局。同时，该芯片支持工业级工作温度范围，可在恶劣环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和适应性。
　　由于其成熟的制造工艺和广泛的应用背景，HM514260ALTT-8在市场中具有较高的兼容性和可替代性，适合用于老旧设备的维修和替换。

HM514260ALTT-8 主要用于各种嵌入式系统、工业控制系统、老式个人计算机的扩展模块、视频采集设备、通信设备以及医疗仪器等需要DRAM存储器的场景。由于其异步接口和较高速度的特性，它也常用于需要临时数据缓存的场合，例如图像处理和数据采集系统。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用于存储程序、临时数据或作为缓存使用，提高系统的运行效率。在工业控制设备中，HM514260ALTT-8 可用于存储控制参数、运行日志或实时数据采集信息。此外，在视频监控和图像采集设备中，该芯片可作为图像缓存，协助主控芯片进行数据处理和传输。
　　尽管现代系统中已广泛采用更高密度和更高速度的DRAM技术，如SDRAM和DDR SDRAM，但HM514260ALTT-8 仍被用于维护和替换老旧设备，特别是在需要保持原有系统架构不变的场合。

TC514260ALB-80C, KM514260ALTT-8, CY7C185-10VC, CY7C199-10VC