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IS25WP512M-RMLE 发布时间 时间:2025/12/28 17:55:46 查看 阅读:13

IS25WP512M-RMLE 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的串行闪存存储器芯片。该芯片采用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具备高读写速度和高可靠性,广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块和消费类电子产品中。该器件支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护、块锁定功能等,确保数据的安全性和完整性。

参数

容量:512Mbit(64MB)
  接口类型:SPI
  电压范围:2.3V - 3.6V
  最大时钟频率:133MHz
  读取模式:单线、双线、四线SPI(Single/Dual/Quad SPI)
  写保护功能:软件和硬件写保护
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:8引脚 SOIC 或 WSON

特性

IS25WP512M-RMLE 采用先进的 CMOS 工艺制造,具有出色的性能和可靠性。
  其主要特性之一是支持高速 Quad SPI 模式,在133MHz时钟频率下,可以实现高达约532Mbps的读取吞吐量,显著提升系统响应速度。
  该芯片支持多种读写操作模式,包括单线、双线和四线SPI,兼容性强,适用于多种主控平台。
  内置的软件和硬件写保护机制,可以防止意外写入和擦除操作,确保关键数据不被篡改。
  此外,IS25WP512M-RMLE 支持灵活的块锁定功能,用户可以对任意数量的块或整个芯片进行锁定,进一步增强数据安全性。
  在功耗方面,该芯片设计为低功耗模式,适用于电池供电设备或对能效有要求的应用场景。
  其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应工业级应用环境,具有良好的温度稳定性和耐用性。

应用

IS25WP512M-RMLE 主要用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统,如工业控制器、通信设备、智能仪表、医疗设备和消费类电子产品。
  由于其高速读取性能,特别适合用于固件存储、图像数据存储、日志记录和缓存应用。
  该芯片也常用于物联网(IoT)设备,作为系统引导代码和用户数据的存储介质。
  其安全特性使其适用于需要数据保护的场景,如支付终端、安防设备和车载电子系统。

替代型号

Winbond W25Q512JV, Macronix MX25U51345G, Micron N25Q512A

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