时间：2025/8/18 21:41:34
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D2475 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：16A
导通电阻 Rds(on)：0.033Ω（典型值）
功耗（Pd）：50W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
D2475 具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高整体效率。其高电流容量和耐压能力使其适用于中高功率应用。该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，便于散热和安装，同时提供良好的热稳定性和机械强度。此外，D2475 的栅极驱动电压范围较宽，能够在不同的驱动条件下保持稳定工作。该器件的高频开关特性使其适用于高频 DC-DC 转换器和电机控制电路。此外，D2475 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，提高了系统的可靠性和耐用性。
在设计中，D2475 的低栅极电荷（Qg）减少了开关损耗，使其在高频率应用中表现优异。同时，其内部结构优化，减少了寄生电感和电容的影响，从而提升了器件的开关速度和动态性能。该 MOSFET 在电源管理系统中常用于负载开关、电池管理和功率因数校正（PFC）电路中，提供高效、稳定的功率转换解决方案。
D2475 主要用于以下应用领域：电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电池充电器、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统。它在需要高效率和高稳定性的电路中表现出色，特别适合高频开关应用。
SiHF16N60C
IRFZ44N
FDN340P
BUZ11
