型号：ZNBG3115Q16TC
　　类型：GaN HEMT 功率晶体管
　　封装：TSDSOP-16
　　工艺技术：GaN-on-SiC
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：15 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：45 A
　　导通电阻（Rds(on)）：150 mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：2.5 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF
　　输出电容（Coss）：200 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围：-40 °C 至 +150 °C
　　隔离电压：3000 Vrms（典型）
　　安装方式：表面贴装
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS
　　内置驱动器：是

ZNBG3115Q16TC的核心特性源于其基于GaN-on-SiC材料体系的设计，这种组合使得器件能够在高频开关条件下保持出色的效率和热稳定性。氮化镓材料本身具有宽禁带特性，允许更高的临界电场强度和更快的电子迁移速率，从而显著降低导通损耗和开关损耗。相比于传统的硅基MOSFET，ZNBG3115Q16TC在650V工作电压下实现了仅150mΩ的低导通电阻，这不仅提高了能效，还减少了散热需求，使系统可以采用更紧凑的散热设计。此外，该器件集成了优化的栅极驱动电路，有效避免了因外部驱动不匹配导致的振荡或误导通问题，提升了整体系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　另一个关键特性是其卓越的动态性能。由于GaN HEMT几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在桥式拓扑如半桥或全桥LLC谐振转换器中使用时，能够极大减少体二极管反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，进而提高系统效率并降低EMI干扰。同时，该器件支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率运行，有助于减小磁性元件（如变压器和电感）的尺寸与重量，推动电源系统向小型化、轻量化方向发展。
　　在可靠性方面，ZNBG3115Q16TC通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，表明其在温度循环、湿度敏感性、机械冲击和长期寿命测试等方面均达到车规级要求。其额定工作结温可达+150°C，并具备过温保护机制，确保在高温环境下仍能安全运行。TSDSOP-16封装采用增强型绝缘结构，提供高达3000Vrms的电气隔离能力，适用于需要功能隔离的AC-DC或DC-DC电源模块。此外，该封装支持自动化贴片生产，便于大规模制造，提升产线良率。

ZNBG3115Q16TC广泛应用于对效率、功率密度和可靠性有高要求的电力电子系统中。典型应用场景包括车载充电机（OBC），尤其是在电动汽车（EV）和插电式混合动力汽车（PHEV）中，作为主逆变器或辅助电源的开关元件，能够在有限空间内实现高效的能量转换。此外，它也被用于工业级服务器电源、5G通信基站的DC-DC电源模块以及光伏逆变器中的高频功率级设计。在这些应用中，ZNBG3115Q16TC凭借其高频响应能力和低损耗特性，帮助系统实现98%以上的转换效率。同时，该器件适用于各类采用图腾柱PFC（无桥PFC）架构的高效率整流电路，这类拓扑结构近年来在高端电源设计中越来越普及，尤其依赖于零反向恢复特性的GaN器件来消除传统硅器件带来的损耗瓶颈。另外，在航空航天与国防领域的高可靠性电源系统中，ZNBG3115Q16TC也因其稳定的性能和坚固的封装而受到青睐。

ZNG115E16TC
　　IGBTG1650HDL