D2444AR 时间：2025/8/18 8:17:43 阅读：6

D2444AR 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。D2444AR 通常封装在SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装中，便于自动化生产和散热管理。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.7mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP

特性

D2444AR 的核心特性包括其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽结构设计，提供了更高的载流能力和更小的芯片尺寸，从而实现了更紧凑的封装和更好的热性能。
　　其±20V的栅极电压耐受能力使其在各种驱动条件下都能保持稳定工作，并提高了抗干扰能力。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，在高功率密度应用中表现出色，能够在高温环境下长时间工作而不发生性能退化。
　　由于其高可靠性与优异的电气性能，D2444AR 常用于高要求的工业、通信和汽车电子系统中。