容量：256K x 16位
　　组织结构：256K地址，每个地址16位数据
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：7.5ns
　　封装类型：54引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：54-TSOP
　　接口类型：并行异步接口

GM72V281641AT7K具备低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适用于电池供电或节能型系统。该芯片支持高速异步读写操作，最大访问时间仅为7.5ns，能够满足对性能要求较高的系统需求。其供电电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性。该器件采用CMOS技术，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于工业环境中的恶劣条件。此外，其54引脚TSOP封装形式不仅有助于节省PCB空间，还便于实现高密度布局。
　　这款SRAM芯片具备标准的异步并行接口，支持地址线、数据线和控制线的独立操作，便于与各种主控设备连接。其控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持读写操作的独立控制。由于其高速和低延迟特性，该芯片常用于高速缓存、图形处理、通信路由和网络交换等对性能要求较高的应用场景。

GM72V281641AT7K广泛应用于通信基础设施（如路由器、交换机）、网络设备、工业控制系统、嵌入式系统、测试测量设备以及高速缓存存储器等场景。由于其高速数据访问能力，特别适用于需要快速数据处理和临时数据存储的场合。在通信系统中，该芯片可用于数据包缓存和快速路由表查找；在工业控制领域，可用于高速数据采集和缓存；在嵌入式系统中，可作为主控处理器的外部高速缓存使用。此外，该芯片也适用于高端消费类电子产品，如多媒体播放器、图像处理设备等，以提升系统的整体响应速度和数据处理能力。

IS61LV25616-8TLI、CY62148EVLL、IDT71V416SA、ISSI IS64LV25616A