时间：2025/9/6 10:54:40
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MBR10100CD是一款由ON Semiconductor生产的10A、100V肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），采用双共阴极（Dual Common Cathode）结构。该器件广泛用于高频率开关电源、DC/DC转换器以及续流二极管应用中。由于其低正向压降和快速恢复时间，MBR10100CD在高效率电源系统中表现优异。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，便于散热和自动化装配。
最大重复峰值反向电压：100V
最大平均正向电流：10A
正向压降（IF=5A时）：0.87V（典型值）
反向漏电流（VR=100V时）：100μA（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
MBR10100CD的核心特性之一是其低正向压降，这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。在额定电流下，正向压降仅为0.87V左右，相比传统二极管显著降低了功率损耗。
此外，该器件具有极短的反向恢复时间（trr），通常在纳秒级别以下，适用于高频开关应用，从而减少了开关损耗，并提高了系统响应速度。
MBR10100CD采用双共阴极结构，允许两个独立的肖特基二极管共享一个阴极连接，适用于多相整流或同步整流拓扑中的设计优化。
该器件具有优良的热性能，TO-252封装提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
由于其高浪涌电流承受能力，MBR10100CD在面对突发电流冲击时具有较高的可靠性，适用于各类工业电源、服务器电源和电信设备。
MBR10100CD广泛应用于多种电源系统中，包括AC/DC电源适配器、DC/DC转换器、负载共享电路、续流二极管、电池充电器和高频逆变器等。其低正向压降和高电流能力使其特别适合用于高效率要求的电源转换系统，如服务器电源、通信设备和工业自动化设备。此外，该器件也可用于电机驱动和功率因数校正（PFC）电路中，以提升整体系统性能。
MBR10100CT、MBR1045、MBR1060、MBRA3100
