FMI13N60E 时间：2025/8/9 12:15:03 阅读：23

FMI13N60E 是一款由Foshan Fuding Microelectronics（佛山弗蒙特电子）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率和高功率应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和照明设备等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

FMI13N60E MOSFET具有多个关键特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为600V，支持在高压环境中稳定工作，同时具备±30V的栅源电压耐受能力，提高了抗干扰能力和可靠性。该器件的连续漏极电流为13A，能够处理相对较大的负载电流，适用于多种功率转换应用。
　　此外，FMI13N60E的导通电阻低于0.45Ω，在Vgs=10V时可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这使得该器件在高频开关应用中具有优势，如电源适配器、LED驱动电源和变频器等。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于通孔安装，便于在各种电路板上使用。同时，其工作温度范围为-55℃至+150℃，适应性强，可在极端温度条件下正常运行。
　　该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在负载突变或短路情况下的安全运行能力。这种特性使其在工业控制、电机驱动以及不间断电源（UPS）系统中具有良好的稳定性和耐用性。

应用

FMI13N60E MOSFET广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制模块、逆变器、电池充电器以及家电控制电路等。其高压耐受能力和较低的导通电阻使其成为高效率和高可靠性设计的理想选择。此外，该器件也适用于需要高频开关性能的电源管理系统，如光伏逆变器和智能电表中的功率开关控制。