类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据后缀字母不同而变化）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

D2235B晶体管具有优异的电流放大性能，能够在较宽的电流范围内保持稳定的hFE值。其高可靠性和良好的热稳定性使其适用于各种电子电路设计。该晶体管支持较高的集电极-发射极电压（Vceo）为30V，适用于中等电压应用场合。此外，D2235B的封装形式为TO-92，便于在PCB上安装和散热。
　　该晶体管的工作温度范围宽，能够在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种环境条件下的应用。其低功率耗散特性（300mW）使其在低功耗电路中表现出色。D2235B的hFE值可根据不同后缀字母分为多个等级，例如O档为110-220，Y档为180-470，GR档为300-600，BL档为500-800，便于用户根据具体需求选择合适增益的晶体管。
　　此外，D2235B晶体管的频率响应较好，适用于音频放大电路、信号处理电路、驱动电路以及各类开关电路。其结构设计保证了较低的饱和压降，有助于提高电路效率。

D2235B晶体管常用于模拟和数字电路中的放大和开关控制。具体应用包括音频放大器、电压调节电路、信号放大电路、LED驱动电路、继电器驱动电路、传感器接口电路、逻辑门电路以及各类低功耗电子产品中。由于其高稳定性和可靠性，D2235B也广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备、通信设备和汽车电子系统中。

2N3904, BC547, 2SC1815