YG805C06R 时间：2025/8/9 20:07:02 阅读：32

YG805C06R 是一款由 YGNewEnergy（阳谷华泰电子）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等高效率功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高功率等级的应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：6.0mΩ（最大值，典型值5.5mΩ）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　极数：3引脚

特性

YG805C06R MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）特性，使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
　　该器件具有优异的热性能，采用高导热性的封装材料和结构设计，确保在高功率工作条件下仍能保持较低的结温。此外，其耐受高dv/dt能力使其适用于严苛的工作环境，如电动汽车、工业电机驱动和高功率密度电源系统。
　　YG805C06R还具备良好的雪崩能量耐受能力，在过压或瞬态条件下具有更高的可靠性和稳定性。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更宽的安全工作范围，适合用于栅极驱动电路设计较为复杂的系统中。

应用

YG805C06R广泛应用于各类高功率密度电源系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统（BMS）。在电动汽车和新能源系统中，该器件可用于车载充电器（OBC）、逆变器以及电池均衡电路，以实现高效率和高可靠性的功率转换。
　　此外，YG805C06R也适用于工业自动化设备中的电源模块和电机驱动器，提供高效的功率控制解决方案。在通信电源和服务器电源系统中，该器件的低导通电阻和高开关性能有助于提高整机效率并减小系统体积。
　　由于其高可靠性和优异的热管理能力，该MOSFET也常用于需要长时间稳定运行的工业设备和嵌入式系统中。