FN03X821K500PLG是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),属于功率半导体器件。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中,具有高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺,优化了沟道结构和封装设计,从而实现了卓越的电气性能和散热能力。其广泛适用于工业控制、消费类电子产品以及新能源领域中的各种应用场景。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):46A
导通电阻(Rds(on)):0.045Ω
总功耗(Ptot):275W
结温范围(Tj):-55°C to +175°C
封装形式:TO-247
FN03X821K500PLG具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性,能够有效降低开关损耗。
4. 强大的散热设计,支持大功率操作。
5. 宽广的工作温度范围,适应多种极端环境条件。
6. 高可靠性和长寿命,满足工业级使用需求。
这些特点使该器件非常适合于需要高效能和稳定性的电力转换及控制场合。
FN03X821K500PLG可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
2. 电动机驱动与控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
4. 电动车和混合动力汽车中的电力管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品。
IRFP460, STP50NK5L, FDP18N50