D1FS4N 时间：2025/4/25 15:14:44 阅读：21

D1FS4N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用中。D1FS4N以其低导通电阻和高效率著称，能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。
　　D1FS4N采用了先进的半导体制造工艺，优化了其动态特性和静态特性，使其成为许多功率电子设计的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.3A
　　导通电阻：7.5mΩ
　　栅极电荷：8nC
　　输入电容：540pF
　　输出电容：290pF
　　反向传输电容：110pF
　　工作结温范围：-55℃ to +150℃

特性

D1FS4N具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型值下为7.5毫欧姆，从而降低了传导损耗。
　　2. 较小的栅极电荷（Qg）确保了快速开关能力，提高了效率并减少了开关损耗。
　　3. 高度稳定的电气性能，适用于广泛的工业及消费类电子产品。
　　4.需求。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
　　6. 可靠性高，具备强大的抗雪崩能力。

应用

D1FS4N广泛应用于各种电力电子领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护电路。
　　4. 电机驱动中的功率级控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 消费类电子产品中的高效能功率转换电路。