时间：2025/8/9 15:06:45
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2SK3917-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能，能够提供高功率密度和低损耗。它通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源适配器和电机控制电路等应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220SM(W)
2SK3917-01MR 具有低导通电阻特性，这使其在高电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。该器件的优化设计还提供了出色的热稳定性，使其能够在高负载条件下保持较低的工作温度。此外，该MOSFET具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高电源转换器的工作频率，从而减小外部元件的尺寸。其高耐压特性（Vds=30V）和高电流承载能力使其非常适合用于高功率密度设计。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩击穿能力，增强了器件在严苛工作环境下的可靠性和耐用性。同时，其封装设计支持良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性和安全性。此外，2SK3917-01MR的栅极驱动特性优化，降低了栅极电荷（Qg），从而减少了驱动电路的负担，使得该器件更易于与现代电源管理IC和控制器配合使用。
综合这些特性，2SK3917-01MR 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景。
2SK3917-01MR 主要用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电池充电和放电控制、电机驱动器、UPS系统以及工业自动化控制设备。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统等应用。此外，它还适用于服务器电源、通信设备电源模块以及高功率LED照明系统等高要求的电源管理领域。
SiR1000DG-T1-GE3, FDS6680, IRLU8726PBF
