时间：2025/8/8 17:14:52
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2SK965是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度沟槽式MOSFET技术，提供良好的导通特性和开关性能，适用于高频和高效率的电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：3A
最大漏极-源极电压（VDS）：400V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约2.0Ω（典型值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92（SIL）
2SK965具有高耐压和良好的导通性能，适用于中等功率的开关应用。其N沟道结构提供了较低的导通压降，有助于提高能效。
该MOSFET采用TO-92封装，适合通孔安装，具有良好的散热性能和机械稳定性。
此外，2SK965的栅极驱动要求较低，可与常见的驱动电路兼容，简化了电路设计。
其高可靠性和宽温度范围使其适用于多种工业和消费类电子设备，如开关电源、马达控制和LED驱动等应用。
该器件还具备良好的抗静电能力和较高的耐用性，能够在较恶劣的环境中稳定工作。
2SK965常用于电源管理电路中，如AC/DC转换器、DC/DC转换器和电池充电器等。它也适用于需要中等功率开关能力的控制电路，如马达驱动、继电器驱动和LED照明调光系统。此外，由于其高频特性，该器件也常用于高频振荡器和功率放大器电路中。
2SK1058, 2SK2460, 2SK2648
