2SK965是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度沟槽式MOSFET技术,提供良好的导通特性和开关性能,适用于高频和高效率的电源转换系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):3A
最大漏极-源极电压(VDS):400V
最大栅极-源极电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约2.0Ω(典型值)
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-92(SIL)
2SK965具有高耐压和良好的导通性能,适用于中等功率的开关应用。其N沟道结构提供了较低的导通压降,有助于提高能效。
该MOSFET采用TO-92封装,适合通孔安装,具有良好的散热性能和机械稳定性。
此外,2SK965的栅极驱动要求较低,可与常见的驱动电路兼容,简化了电路设计。
其高可靠性和宽温度范围使其适用于多种工业和消费类电子设备,如开关电源、马达控制和LED驱动等应用。
该器件还具备良好的抗静电能力和较高的耐用性,能够在较恶劣的环境中稳定工作。
2SK965常用于电源管理电路中,如AC/DC转换器、DC/DC转换器和电池充电器等。它也适用于需要中等功率开关能力的控制电路,如马达驱动、继电器驱动和LED照明调光系统。此外,由于其高频特性,该器件也常用于高频振荡器和功率放大器电路中。
2SK1058, 2SK2460, 2SK2648