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D17NF03L 发布时间 时间:2025/7/22 14:53:45 查看 阅读:12

D17NF03L是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的电子设备中。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,使其在低电压应用中表现出色,例如在电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关电路中。D17NF03L具有低导通电阻(Rds(on))的特点,能够在较高的电流负载下保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):17A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):约5.3mΩ(最大值)
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220或D2PAK(根据具体制造商的版本)

特性

D17NF03L的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件采用了先进的沟槽技术,有助于优化其导通性能和开关速度,从而减少开关损耗。该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。
  D17NF03L的栅极驱动设计允许其与标准逻辑电平兼容,这意味着它可以轻松地与微控制器或其他数字控制电路配合使用,而不需要额外的栅极驱动器。这种特性使其在数字控制的电源系统中非常受欢迎。
  另外,D17NF03L的封装设计(如TO-220或D2PAK)提供了良好的散热性能,能够有效地将热量从芯片传导到外部环境,确保在高功率应用中保持稳定的性能。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压情况下提供一定的保护功能,避免因过压而导致的器件损坏。
  最后,D17NF03L的制造符合RoHS(有害物质限制指令)标准,确保其在环保方面符合现代电子产品的设计要求。

应用

D17NF03L广泛应用于多个领域,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。例如,在电源管理系统中,该器件可以用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等电路,以提高能量转换效率并减少热量的产生。在工业自动化领域,D17NF03L常用于电机驱动和继电器控制电路,能够承受较高的电流负载并实现快速的开关控制。
  在消费类电子产品中,D17NF03L可以用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统,帮助延长电池寿命并提高设备的整体性能。在汽车电子系统中,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车载娱乐系统的电源管理模块。
  此外,D17NF03L还可以用于LED照明系统的调光和电源控制,通过高效的开关操作实现节能效果。在可再生能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,该MOSFET也可用于功率调节和能量转换环节,以提升系统的整体效率和可靠性。

替代型号

IRF17N30L、FDP17N30L、STP17NF30

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