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D163DB90VI 发布时间 时间:2025/12/28 3:37:51 查看 阅读:11

D163DB90VI是一款由东芝(Toshiba)公司生产的光耦合器(光电耦合器),广泛应用于需要电气隔离的信号传输场景中。该器件集成了一个高效率的发光二极管(LED)和一个集成的光敏探测器,通常为光电晶体管输出结构,能够实现输入与输出之间的电气隔离,同时传递数字或模拟信号。D163DB90VI属于东芝光耦产品线中的高性能型号之一,适用于工业控制、电源管理、通信接口等对可靠性和稳定性要求较高的系统。该器件采用小型化表面贴装封装(如SO-4或类似封装形式),便于在高密度PCB布局中使用,并具备良好的抗干扰能力和长期工作稳定性。其设计目标是在确保高速信号传输的同时,提供足够的隔离电压和耐压能力,以满足各类安全标准。此外,D163DB90VI还优化了电流传输比(CTR),提高了能效并降低了驱动电流需求,适合低功耗应用场合。

参数

型号:D163DB90VI
  制造商:Toshiba
  器件类型:光电晶体管输出光耦
  通道数:1
  输入正向电压(VF):典型1.2V,最大1.4V
  输入正向电流(IF):最大50mA
  输出集电极-发射极电压(VCEO):50V
  输出饱和电压(VCE(sat)):≤0.3V(典型)
  隔离电压(Viso):5000VRMS(1分钟)
  电流传输比(CTR):50%~600%(典型值,IF=5mA, VCE=5V)
  响应时间:上升时间(tr)≤4μs,下降时间(tf)≤3μs
  工作温度范围:-55°C 至 +110°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:SO-4(表面贴装)
  引脚数:4
  绝缘电阻:≥10^11 Ω
  共模瞬态抗扰度(CMTI):≥10 kV/μs

特性

D163DB90VI光耦合器的核心优势在于其出色的电气隔离性能与稳定的信号传输能力。该器件内部采用高亮度砷化镓红外发光二极管与硅基光电晶体管组合结构,在保证高效光电转换的同时,显著提升了电流传输比(CTR),使其在较低的输入驱动电流下仍能实现可靠的输出响应。这种设计特别适用于微控制器与高压负载之间的接口电路,例如PLC模块、开关电源反馈回路以及电机驱动控制系统。
  该器件具有高达5000VRMS的隔离电压,符合UL、CSA、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等多项国际安全标准,确保在恶劣电磁环境或高电压波动条件下依然安全运行。其共模瞬态抗扰度(CMTI)性能优异,可有效抑制因快速电压变化引起的误触发,提升系统抗噪能力。此外,D163DB90VI的工作温度范围宽达-55°C至+110°C,适应极端工业环境下的长期稳定运行。
  封装方面,D163DB90VI采用紧凑型SO-4表面贴装封装,不仅节省PCB空间,而且便于自动化贴片生产,提高制造效率。器件内部填充高绝缘性材料,增强了爬电距离和电气间隙,进一步提升安全性。由于其响应速度较快(典型总传播延迟小于7μs),可用于中速数字信号隔离传输,如RS-485通信隔离、继电器驱动隔离等应用。同时,该器件的老化特性良好,寿命长,可靠性高,适合用于需要长时间无故障运行的关键系统。

应用

D163DB90VI广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的信号隔离,如可编程逻辑控制器(PLC)的输入/输出模块,用于将现场传感器或执行器与主控单元隔离开来,防止高压窜入导致控制芯片损坏。在开关电源设计中,它常被用作反馈回路的隔离元件,将次级侧的电压采样信号传送到初级侧PWM控制器,实现闭环稳压控制,同时保持初级与次级之间的安全隔离。
  在交流伺服驱动器、变频器和逆变器等电力电子设备中,D163DB90VI可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路,避免高dv/dt干扰影响逻辑电路正常工作。此外,它也适用于医疗电子设备中对患者连接部分进行信号隔离,以满足医用电气设备的安全规范要求。在通信接口领域,如工业总线(CAN、RS-485)隔离模块中,该光耦可有效阻断地环路干扰,提升通信稳定性。
  其他应用场景还包括电池管理系统(BMS)中的电平转换隔离、智能电表的数据采集隔离、电梯控制系统、不间断电源(UPS)以及各类嵌入式控制系统中的数字信号隔离。由于其具备良好的温度特性和长期稳定性,D163DB90VI也适合部署于户外或高温环境中工作的设备中。

替代型号

TLP290-4
  PC817XNIP0F
  EL357NB

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