IPB17N25S3-100是一款由Infineon(英飞凌)公司生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换器等应用领域。这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其额定电压为25V,能够满足多种工业和消费类电子产品的功率管理需求。
该型号中的具体参数定义如下:IP表示Infineon Power;B表示MOSFET系列;17N代表导通电阻和电压等级;25是器件的耐压值;S3表示封装类型;而100则通常用于标识特定批次或测试标准。
最大漏源电压:25V
连续漏极电流:189A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:34nC
总电容:3.3nF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IPB17N25S3-100的主要特性包括:
1. 超低导通电阻,仅为1.6mΩ,有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 高持续电流能力,支持高达189A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷(34nC),可实现高效高频操作。
4. 优秀的热稳定性,能在极端温度条件下(-55℃至175℃)可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
6. 提供短路保护功能,在过载情况下可以承受一定时间的短路状态而不损坏器件。
IPB17N25S3-100广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计,如AC-DC适配器和电源模块。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统。
4. 高效DC-DC转换器,用于通信设备和服务器供电。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景,例如不间断电源(UPS)系统。
IPW17N25S3-100
IPP17N25S3-100