时间：2025/8/25 4:41:09
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HGT1S14N40G3VLS 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够在高频率下高效运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
漏源电压（VDS）：400V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.35Ω（典型值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（PD）：50W
HGT1S14N40G3VLS MOSFET具有多项显著特性，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。首先，其低导通电阻降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，具有优异的开关性能，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提升了整体系统的可靠性。其TO-220封装形式便于散热设计，适用于多种电源和功率电子设备。
值得一提的是，HGT1S14N40G3VLS还具有较高的雪崩耐受能力，能够承受瞬态电压冲击，避免因过电压而损坏。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。同时，该器件的封装设计符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品。
HGT1S14N40G3VLS MOSFET常用于多种电力电子系统中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制电路。其优异的性能也使其适用于新能源汽车、储能系统和智能电网等新兴领域。
TK14A40D, FQA16N40, IRF740
