时间：2025/7/11 21:39:12
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FTD2017是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关和功率管理应用。其设计采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻、快速开关速度和高效率的性能。该器件适用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的电源转换电路。
FTD2017在小型化封装中提供了卓越的电气特性，适合需要高效能和紧凑空间的设计。它具有出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：-5.8A
导通电阻：30mΩ
总栅极电荷：9nC
输入电容：1220pF
工作温度范围：-55℃至150℃
FTD2017具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，减少了开关损耗，适合高频操作环境。
3. 高击穿电压，增强了器件的耐用性和安全性。
4. 紧凑的封装尺寸，简化了PCB布局并节省空间。
5. 优异的稳定运行。
6. 提供多种保护功能，如过流保护和短路耐受能力。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. LED照明驱动中的调光控制。
6. 便携式电子设备的充电管理模块。
IRF740,
STP55NF06,
FDP5800
