D14N05 时间：2025/12/29 13:41:52 阅读：23

D14N05 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、电源适配器以及电池充电器等。D14N05 的封装形式为TO-252（也称为DPAK），具有良好的散热性能，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大38mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D14N05 MOSFET 具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在高电流负载下，低RDS(on)有助于减少发热，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）额定值为50V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压电源转换电路。同时，最大漏极电流为14A，具备较强的电流承载能力，适合用于大功率开关电路。
　　D14N05 的栅源电压（VGS）耐受范围为±20V，提供了更高的栅极控制灵活性，同时也增强了抗电压尖峰的能力，防止栅极击穿。该器件的封装形式为TO-252，具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导至PCB板或散热器上，从而提升整体系统的热管理能力。
　　此外，D14N05 在高温环境下仍能保持稳定工作，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作条件。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了电源转换效率，特别适用于高频开关应用。
　　综合来看，D14N05 凭借其低导通电阻、高电流承载能力、良好的散热设计以及优异的高温稳定性，成为电源管理和功率转换领域中的一款理想器件。

应用

D14N05 主要应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的电源模块。该MOSFET也可用于汽车电子系统中的功率控制单元，如车载充电器、电动助力转向系统等。由于其优异的导通性能和高效率特性，D14N05 特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计场景。