品牌：Samsung
　　产品系列：K3
　　型号：K3RG4G40MM-MGCJT00E
　　存储类型：eMMC 5.1
　　存储容量：64GB
　　工作电压 VCC：2.7V ~ 3.6V
　　工作电压 VCCQ：1.7V ~ 1.95V
　　数据总线宽度：8位
　　最大数据传输速率：HS400模式下约400MB/s
　　封装类型：BGA
　　引脚数：169球
　　工作温度范围：-25°C 至 +85°C
　　存储器技术：TLC NAND Flash
　　是否原厂封装：是
　　是否支持HPI：支持
　　是否支持Sleep Mode：支持
　　是否支持Write Protect：支持

K3RG4G40MM-MGCJT00E 的核心特性之一是其符合JEDEC eMMC 5.1规范，支持HS400增强高速模式，能够实现高达约400MB/s的顺序读取速度，显著提升了系统启动、应用程序加载和文件传输效率。该芯片采用8位并行数据总线架构，在命令与数据分离的设计下，确保了高并发处理能力，同时降低了主机处理器的负担。其内置的智能闪存控制器集成了高级算法，包括动态磨损均衡（Dynamic Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management）、静态磨损均衡（Static Wear Leveling）以及强大的ECC纠错机制（通常可达数十位每扇区），有效保障数据完整性与长期可靠性。此外，该器件支持HPI（Host Power Interface）中断机制，允许主机在任务繁忙时暂停数据传输以节省功耗，特别适合电池供电设备。
　　另一关键特性是其基于TLC（Triple-Level Cell）NAND工艺的64GB存储密度，在成本与性能之间取得良好平衡。虽然TLC相较于SLC或MLC在耐久性上略有下降，但通过控制器端的优化技术如缓外降速控制、垃圾回收策略改进和写入放大抑制，仍能满足大多数消费类和部分工业级应用场景的需求。该芯片还支持安全擦除、写保护、密码保护等功能，增强了数据安全性。封装方面采用169球BGA，尺寸紧凑，便于在空间受限的PCB布局中使用。同时具备良好的抗振动、抗冲击能力，适用于移动环境下的长期运行。整体设计注重低功耗管理，支持多种省电模式，如Sleep Mode和Deep Sleep Mode，进一步延长终端设备续航时间。

K3RG4G40MM-MGCJT00E 广泛应用于对存储性能和可靠性有较高要求的嵌入式系统中。最常见的用途是在中高端智能手机和平板电脑中作为主存储单元，用于存放操作系统、用户数据、应用程序及多媒体文件。得益于其快速的读写能力和稳定的eMMC接口协议，系统启动时间明显缩短，用户体验得以优化。在工业自动化领域，该芯片被用于人机界面（HMI）、PLC控制器、工业网关等设备中，承担固件存储和运行日志记录功能，其宽温特性和抗干扰能力确保在工厂复杂电磁环境中稳定运行。
　　此外，该器件也常见于车载信息娱乐系统（IVI）和数字仪表盘中，支持导航地图缓存、音频视频播放和OTA远程升级操作。由于eMMC接口在MCU平台中的广泛兼容性，许多基于ARM Cortex-A系列处理器的设计优先选用此类标准存储模块以加快开发进度。在物联网（IoT）边缘节点设备中，如智能POS机、安防摄像头、智能家居中枢等，K3RG4G40MM-MGCJT00E 提供足够的本地存储空间来缓存采集数据，并支持断点续传和本地回放功能。医疗设备中也有应用案例，如便携式超声仪、监护仪等，利用其高可靠性进行患者数据临时存储。总体来看，该芯片适用于所有需要嵌入式大容量非易失性存储且不采用独立SSD或TF卡架构的场景。

KLMAG4GE4A-B041
　　KLM8G1GETF-B041
　　KLMAG1GE4A-B051