时间：2025/7/15 19:45:06
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D10040200GT 是一款由东芝（Toshiba）生产的电子元器件，属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件专为高电流、高电压的开关应用而设计，通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化系统中。D10040200GT具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力及优异的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100A
漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值2.0mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
D10040200GT具有多项优良特性，使其适用于高功率和高频应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件的高电流承载能力（100A）和40V的耐压能力，使其能够应对高功率负载的需求。此外，D10040200GT采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通和开关性能，从而在高频应用中表现出色。
这款MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。此外，其±20V的栅极-源极电压范围提供了更高的设计灵活性，并增强了抗干扰能力。
另一个显著特点是其快速开关能力，减少了开关损耗并提高了响应速度，这对于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等应用尤为重要。同时，D10040200GT具备良好的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬态过电压冲击，从而增强电路的稳定性与耐用性。
D10040200GT适用于多种高功率电子系统。在电源管理领域，它被广泛用于大功率开关电源、同步整流器和DC-DC转换器，以提高能效和减小电源体积。在电机控制方面，该器件可用于电动工具、电动车控制器和工业自动化设备中的H桥驱动电路，提供快速响应和稳定性能。
此外，D10040200GT也常用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，以实现高效的能量转换和管理。在汽车电子中，该MOSFET可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等应用，满足高可靠性和耐久性的要求。
由于其高可靠性和优异的热性能，D10040200GT也适用于工业自动化控制、智能电网设备以及高功率LED驱动电路中，为各种高要求场景提供稳定支持。
TKA100E40Q, IPB100N40T, FDP100N40TM
