制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：CY7C196
　　存储容量：128 Kbit
　　存储结构：8K x 16
　　存取时间：35 ns
　　供电电压：5 V ± 10% (4.5V ~ 5.5V)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：44-pin PLCC
　　接口类型：并行异步
　　输入电平：TTL 兼容
　　组织方式：16 位字宽
　　功耗类型：低功耗 CMOS
　　数据保持电压：最小 2V
　　待机电流：典型值 4 mA（CMOS 待机模式）
　　工作电流：典型值 90 mA（最大频率操作）
　　引脚数：44
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CY7C196-35LMB 具备多项关键特性，使其在异步 SRAM 市场中具有较高的竞争力和广泛应用基础。首先，其 35ns 的快速访问时间确保了在高频数据交换应用中的高效性能，适用于需要快速响应的实时控制系统，如工业自动化设备和通信网关。该芯片采用全静态设计，意味着只要电源保持稳定，数据便可无限期保存而无需刷新或时钟同步，这极大地降低了系统设计复杂性，并提升了稳定性。其次，该器件基于高性能 CMOS 技术制造，在保证高速运行的同时实现了较低的功耗表现，尤其在待机状态下电流消耗极低，有助于延长系统整体能效，特别适合对能耗敏感的嵌入式设备。
　　CY7C196-35LMB 支持 TTL 电平输入，可直接与多种微处理器、DSP 和逻辑控制器无缝对接，无需额外的电平转换电路，简化了硬件设计流程。其双向三态数据总线允许多个存储器或外设共享同一数据路径，增强了系统的扩展性和灵活性。此外，该芯片具备出色的抗干扰能力和高噪声容限，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于极端气候条件下的户外设备或车载系统。
　　在可靠性方面，CY7C196-35LMB 经过严格的制造工艺控制和老化测试，具备高耐久性和长寿命，支持无限次读写操作，且数据保持时间长达十年以上（在断电情况下仍可在最低保持电压下维持数据）。该器件还集成了片上地址锁存和输出使能控制，支持页模式访问和突发读写优化，进一步提升数据吞吐效率。44 引脚 PLCC 封装不仅提供了良好的散热性能，也便于手工焊接和返修，适合中小批量生产和维修替换场景。

CY7C196-35LMB 广泛应用于多种需要高速、可靠、非易失性无关但快速访问的静态存储场景。在工业控制领域，它常被用作 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和 CNC（数控机床）系统中的缓存或程序暂存区，用于临时存放运行参数、I/O 映射表或中间计算结果，确保控制系统响应迅速且稳定。在通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机或基站模块的数据缓冲区，支持高速包处理和队列管理，提升信息转发效率。此外，在医疗电子设备如监护仪、成像系统中，CY7C196-35LMB 可作为图像帧缓存或实时信号处理的辅助内存，保障关键数据不丢失。
　　由于其高可靠性与宽温工作能力，该器件也被广泛应用于军事与航空航天电子系统中，例如雷达信号处理单元、飞行控制计算机和战术通信终端，这些应用场景对元器件的耐用性和环境适应性要求极高。在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，该 SRAM 可用于采集数据的临时存储，支持高速采样下的连续记录。同时，一些老旧但仍在服役的计算机系统或嵌入式主板也采用此类芯片作为 BIOS 扩展存储或固件镜像缓存。尽管新型同步 DRAM 和 QDR 存储器已逐渐普及，但在无需复杂时序控制的简单系统中，CY7C196-35LMB 凭借其即插即用的异步特性仍具不可替代的优势。

CY7C196-35JC
　　CY7C196-35JMB
　　CY7C196-35ZC
　　IS61LV10248-35T
　　AS7C1026-35BIN